バイポーラ トランジスタ（BJT）と比較して、電界効果トランジスタ（FET）には次の特徴があります。-
(1) FET は電圧-制御デバイスであり、VGS (ゲート-ソース電圧) を介してドレイン電流 (ID) を制御します。
(2) FET の制御入力電流は非常に小さいため、入力抵抗が非常に高くなります (107–1012 Ω)。
(3) FET は伝導に多数キャリアを利用するため、より優れた温度安定性を示します。
（４）ＦＥＴで構成された増幅回路は、バイポーラトランジスタで構成された増幅回路に比べて電圧増幅率が小さい。
(5) FET は耐放射線性に優れています。
(6) FET は浮遊電子の拡散によるショットノイズがないため低ノイズです。
