(1) MOSFET を安全に使用するには、回路設計が電力損失、最大ドレイン-ソース電圧、最大ゲート-}ソース電圧、最大電流などのパラメータの制限を超えてはなりません。
(2) すべてのタイプの MOSFET を使用する場合、必要な極性に従って回路に厳密にバイアスをかける必要があります。たとえば、接合電界効果トランジスタ (JFET) のゲート-ソース-ドレイン接合は PN 接合です。 N- チャネル JFET のゲートに正のバイアスを適用することはできず、P- チャネル JFET のゲートに負のバイアスを適用することはできません。
(3) MOS MOSFET は入力インピーダンスが非常に高いため、輸送中や保管中にリードを短絡する必要があり、外部誘導電位によるゲートの破壊を防ぐために金属シールドでパッケージ化する必要があります。- MOS MOSFET はプラスチックの箱に入れるべきではないことに注意することが特に重要です。理想的には金属製の箱に保管する必要があり、湿気による損傷を防ぐように注意する必要があります。
(4) MOSFET のゲート破壊を防ぐために、すべての試験機器、作業台、はんだごて、および回路自体を適切に接地する必要があります。ピンをはんだ付けするときは、最初にソースをはんだ付けしてください。回路に接続する前に、MOSFET のすべてのリードを相互に短絡し、半田付け後にのみ短絡材料を除去する必要があります。 MOSFET をコンポーネント ラックから取り外すときは、接地リングを使用するなどして、ユーザーが適切に接地されていることを確認してください。もちろん、最新のガス加熱はんだごてを使用できれば、MOSFET のはんだ付けがより便利かつ安全になります。-電源が入っている間は、MOSFET を回路に挿入したり、回路から取り外したりしないでください。 MOSFET を使用する場合は、これらの安全対策を遵守する必要があります。
(5) MOSFET を取り付けるときは、発熱部品の近くに置かないでください。-。振動を防ぐためにはMOSFETのハウジングを固定する必要があります。リードを曲げる場合は、折れやエア漏れを防ぐため、根元寸法より5mm以上曲げてください。
(6) VMOS トランジスタを使用する場合は、適切なヒートシンクを使用する必要があります。たとえば、VNF306 が最大電力 30W を達成するには、140×140×4 (mm) のヒートシンクが必要です。
(7) 複数のトランジスタを並列接続すると、それに応じて電極間容量や分布容量が増加し、アンプの高周波特性が劣化し、帰還による高周波寄生発振が発生しやすくなります。-したがって、並列複合トランジスタの数は通常 4 つを超えてはならず、寄生発振防止抵抗器を各トランジスタのベースまたはゲートに直列に接続する必要があります。-
(8) 接合型電界効果トランジスタ (JFET) - のゲート-ソース電圧は反転できず、開回路状態で保存される可能性があります-。ただし、絶縁型-ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)-の場合、入力抵抗が非常に高いため、外部電場による損傷を防ぐために、使用しないときはすべての電極を短絡する必要があります。-
(9) はんだ付け中、はんだごての充電によるトランジスタの損傷を防ぐため、はんだごてのケーシングには外部接地線を装備する必要があります。少量のはんだ付けの場合は、はんだごてを加熱してからプラグを抜くか、電源を切ってからはんだ付けを行ってください。-特に絶縁-ゲート-電界効果トランジスタ (FET) をはんだ付けする場合は、ソース-ドレイン-ゲートの順序ではんだ付けを行う必要があり、はんだ付け中は電源を切る必要があります。
(10) 25W のはんだごてを使用してはんだ付けする場合は、作業が早くなければなりません。 45-75W のはんだごてを使用する場合は、熱放散を助けるためにピンセットを使用してピンの根元を保持する必要があります。接合電界効果トランジスタ (JFET) は、マルチメータを使用して定性的にチェックできます (各 PN 接合の順抵抗と逆抵抗、およびドレインとソース間の抵抗をチェックします)。ただし、絶縁ゲート FET はマルチメータでチェックできません。-検査装置が必要であり、各電極の短絡は検査装置に接続した後にのみ除去する必要があります。 FET を取り外すときは、最初に FET を短絡する必要があり、ゲートをフローティング状態にしないことが重要です。
高入力インピーダンスが必要なアプリケーションで使用する場合は、温度の影響による FET の入力抵抗の低下を防ぐために防湿対策を講じる必要があります。{0} 4 リード FET を使用する場合は、その基板リードを接地する必要があります。-セラミック-パッケージのゴマシードトランジスタは感光特性を持っているため、光を避けて使用する必要があります。
パワーFETの場合、良好な放熱性が不可欠です。パワー MOSFET は高負荷条件で動作するため、デバイスが長期間安定して確実に動作できるように、ケース温度が定格値を超えないよう十分なヒートシンクを設計する必要があります。
つまり、MOSFET を安全に使用するためには、考慮すべきことが数多くあり、さまざまな安全対策を講じる必要があります。専門の技術者、特にエレクトロニクス愛好家は、それぞれの特定の状況を考慮し、MOSFET を安全かつ効果的に使用するための実用的な方法を採用する必要があります。
