標準電圧でのデプレッション-モード電界効果トランジスタ（FET）-。左から右へ: ジャンクション FET、ポリシリコン メタル-酸化物-半導体 FET、デュアル-ゲート メタル-酸化物-半導体 FET、メタル-ゲート メタル-酸化物-半導体 FET、メタル-半導体 FET。空乏層、電子、正孔、金属、絶縁体。上:ソース、下:ドレイン、左:ゲート、右:本体。電圧によるチャネル形成の詳細は示されていない。
ドープされた FET (以下で説明) は、チャネルを使用して N- 型または P- 型の半導体を製造します。デプレッション-モードFETでは、ドレインとソースがチャネルとは異なるタイプにドープされる場合があります。または、ブースト-モードFETでは、同様のタイプにドープされる場合があります。電界効果トランジスタ-は、チャネルとゲートを絶縁するさまざまな方法によって区別されます。
FET には次の種類があります。
DEPFET (Depleted FET) は、完全に空乏化した基板上に製造され、センサー、アンプ、およびメモリー電極として使用される FET です。画像（光子）センサーとして使用できます。
DGMOFET (デュアル-) ゲート MOSFET は、2 つのゲートを持つ MOSFET です。
DNAFET はバイオセンサーとして使用される特殊なタイプの FET で、一本鎖 DNA 分子で作られたゲートを通じて一致する DNA 鎖を検出します。{0}
FREDFET (高速リカバリ エピタキシャル ダイオード FET) は、非常に高速な再起動 (シャットダウン) ボディ ダイオードを提供するために使用される特別なタイプの FET です。
HFET (ヘテロ構造 FET) としても知られる HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、バンドギャップ エンジニアリングを使用して AlGaAs などの三重半導体で製造されます。完全に空乏化した広いバンドギャップにより、ゲートとボディの間に絶縁が形成されます。
IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) は、電力制御に使用されるデバイスです。その構造はバイポーラ-チャネルMOSFETに似ています。これらは通常、200-3000 ボルトのドレイン-ソース電圧範囲での動作に使用されます。パワー MOSFET は、ドレイン-ソース間電圧が 1 ～ 200 ボルトのデバイスに依然として選択されています。
ISFET は、溶液中のイオン濃度の測定に使用されるイオン-感応性電界効果トランジスタ-です。イオン濃度 (pH など) が変化すると、トランジスタを流れる電流もそれに応じて変化します。
JFET は、逆バイアスの pn 接合を使用してゲートとボディを分離します。{0}
MESFET (金属-半導体 FET) は、JFET の PN 接合をショットキー バリアに置き換えます。これらは、GaAs やその他の III-V 族半導体材料に使用されます。
MODFET (変調-ドープ FET) は、ドープされたスクリーン活性領域で構成される量子井戸構造を使用します。
MOSFET は、ゲートとボディの間に絶縁体 (通常は二酸化シリコン) を使用します。
NOMFET は、ナノ粒子有機メモリ電界効果トランジスタです。-
OFET は、チャネルに有機半導体を使用する有機電界効果トランジスタです。-
